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Innovación y Aplicación de la Tecnología de Preparación de Recubrimientos de TaC

2025-08-25

El grafito recubierto con TaC exhibe una resistencia superior a la corrosión química en comparación con el grafito puro y puede funcionar de manera estable a temperaturas de hasta 2600°C. Es el recubrimiento de mayor rendimiento para el crecimiento de monocristales semiconductores de tercera generación y el crecimiento epitaxial de obleas. Los recubrimientos de TaC abordan los defectos en los bordes de los cristales y mejoran la calidad del crecimiento cristalino, lo que lo convierte en una de las tecnologías centrales para lograr un crecimiento "rápido, grueso y grande".

Actualmente, la deposición química de vapor (CVD) es el método más común para preparar recubrimientos de TaC para aplicaciones de semiconductores. Recientemente, el Instituto Alemán de Semiconductores y la Organización Japonesa de Investigación e Industrialización de TaC han demostrado ventajas significativas sobre los recubrimientos de TaC por CVD en el crecimiento de monocristales de GaN y el crecimiento PVT de monocristales de SiC.

La tecnología de recubrimiento de TaC multifase desarrollada independientemente por China, aunque cumple con las especificaciones técnicas, puede reducir significativamente el costo de los recubrimientos de TaC en comparación con los métodos CVD. También ofrece ventajas como alta fuerza de unión, baja tensión térmica, excelente sellado y estabilidad a altas temperaturas.

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